নিম্ন এবং মাঝারি কার্বন ফেরোম্যাঙ্গানিজ উৎপাদনের জন্য রক ফার্নেস পদ্ধতি

(1) রক ফার্নেস বৈদ্যুতিক চুল্লি পদ্ধতি
রক ফার্নেস বৈদ্যুতিক চুল্লি পদ্ধতি হল শিলা চুল্লি গলানোর প্রধান পদ্ধতি। রক ফার্নেস বৈদ্যুতিক চুল্লি পদ্ধতি বাস্তবায়নের মূল ভিত্তি হল তিনটি চুল্লি সংযোগ।
প্রথমত, রিফাইনিং ফার্নেসের উপজাত থেকে ম্যাঙ্গানিজ স্ল্যাগ রকারে জমা হয় এবং তারপর খনিজ তাপ চুল্লি দ্বারা উত্পাদিত তরল ম্যাঙ্গানিজ সিলিকন অ্যালয় রকারে জমা হয়। 55-60r/মিনিট কাঁপানো চুল্লির গতিতে, ম্যাঙ্গানিজ স্ল্যাগের MnO ভাল গতিগত অবস্থার অধীনে ম্যাঙ্গানিজ সিলিকন অ্যালয়েতে সিলিকন দ্বারা হ্রাস করা হয়। প্রতিক্রিয়ার পরে, স্যুইচিংয়ের মাধ্যমে প্রকাশিত রাসায়নিক তাপ নিশ্চিত করে যে গন্ধটি স্বাভাবিকভাবে সম্পন্ন হয়।

রাসায়নিক বিক্রিয়া সমীকরণ হল:
2MnO + Si = = 2 Mn + SiO2। ডাম্পিং এর পরে নির্ধারিত প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী MnO ক্ষয় স্ল্যাগ করার জন্য, বর্জ্য স্ল্যাগ জল দ্বারা নিভে যায় এবং বিল্ডিং উপকরণ তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। যোগ্য মেসোকার্বন ম্যাঙ্গানিজ লোহা পরিশোধন না হওয়া পর্যন্ত চুল্লি পরিশোধন করার জন্য তরল খাদ; পরিশোধন চুল্লিতে রাসায়নিক বিক্রিয়া ইলেক্ট্রোসিলিকন তাপ পদ্ধতির মতোই।


(2) শিলা চুল্লির সিলিকন তাপীয় পদ্ধতি
রকার ফার্নেসের সিলিকন থার্মাল পদ্ধতিতে কম-কার্বন ফেরোম্যাঙ্গানিজের উৎপাদন জাপানি শিজিমা লোহার খাদ দ্বারা অগ্রণী হয়েছিল এবং আনুষ্ঠানিক উৎপাদনে রাখা হয়েছিল। এটি প্রথমে শ্যাফটে 600 ~ 800 ° C ম্যাঙ্গানিজ আকরিক এবং রকারে চুন প্রিহিট করা হয়, তারপর খনিজ তাপ চুল্লি দ্বারা উত্পাদিত তরল ম্যাঙ্গানিজ খাদ, রকার শুরু করে, 1 ~ 65r/min এর দোলনা গতি, যখন অপারেটিং, চুল্লিতে রাসায়নিক বিক্রিয়ার তীব্রতার উপর নির্ভর করে গতি ধীরে ধীরে বৃদ্ধি পায়।


ম্যাঙ্গানিজ অক্সাইডের প্রধান হ্রাস প্রতিক্রিয়া হল: 2Mn2O3+Si===4MnO+SiO2和2MnO+Si===2MnO+SiO2
বেশিরভাগ ডেসিলিকন প্রতিক্রিয়া হট-থেকে-ম্যাঙ্গানিজ সিলিকন অ্যালয় প্রক্রিয়ায় সম্পন্ন হয় এবং একটি ছোট অংশ রকারের সম্পূর্ণ আন্দোলনের মাধ্যমে সম্পন্ন হয়। খাদ মধ্যে সিলিকন মূলত অক্সিডাইজ করা হয়, প্রতিক্রিয়া শান্ত হতে থাকে যখন ডাম্পিং চুল্লি, ঢালা ধাতুপট্টাবৃত কনডেনসেট চুল্লিতে ব্যবহারের জন্য পেষণ করার পর ম্যাঙ্গানিজ সিলিকন খাদ গন্ধে। প্লেট নম্বর জরিমানা স্ট্যাকিং পরে তরল খাদ ঢালাই.